[22a-B202-1~11] 17.3 層状物質

[22a-B202-11] p型二硫化モリブデンTFTのアニール処理による特性改善

〇荒井 大地¹、清水 耕作¹ (1.日本大生産工)

キーワード：硫化モリブデン、薄膜トランジスタ、スパッタリング

本来単結晶の硫化モリブデンはn型半導体であるが、スパ硫化モリブデン薄膜は単結晶ではn型半導体であるが、スパッタリング法で作製したMoS₂はp型半導体の特性を示すことが知られている。先行研究より200℃アニールで最大の移動度を示した。今回p型になった原因をラマン分光を用いて結晶の変化を調べた。