[22a-B202-1~11] 17.3 Layered materials

[22a-B202-2] Realization of p-type TFET via laser-induced doping technique

〇Tianshun Xie¹, Kazuki Fukuda¹, Mengnan Ke¹, Ueno Keiji², Nobuyuki Aoki¹ (1.Chiba Univ, 2.Saitama Univ)

Keywords:Transition metal dichalcogenide, tunneling field effect transistors, laser irradiation

TMDC材料におけるn型TFETの作製には多くの進展が見られるが、p型TFETの作製は、適切なn⁺型材料を見つけることが困難であるため、大きく制限されている。そのため、TMDC材料におけるp型TFETの実現には、n型の高濃度ドーピング技術が特に重要である。我々はレーザー誘起ドーピング技術を用いて高濃度n型ドーピングMoTe2結晶が達成されることを発見して、MoTe2におけるp型TFETを実現した。