[22a-B202-1~11] 17.3 層状物質

[22a-B202-2] レーザー誘起ドーピング技術を用いてp型MoTe₂-TFETの実現

〇謝 天順¹、福田 和紀¹、柯 梦南¹、上野 啓司²、青木 伸之¹ (1.千葉大工、2.埼玉大工)

キーワード：遷移金属ダイカコゲナイド、トンネル電界効果トランジスタ、レーザー照射

TMDC材料におけるn型TFETの作製には多くの進展が見られるが、p型TFETの作製は、適切なn⁺型材料を見つけることが困難であるため、大きく制限されている。そのため、TMDC材料におけるp型TFETの実現には、n型の高濃度ドーピング技術が特に重要である。我々はレーザー誘起ドーピング技術を用いて高濃度n型ドーピングMoTe2結晶が達成されることを発見して、MoTe2におけるp型TFETを実現した。