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[22a-B202-4] 同一結晶トンネル FET における S.S.劣化要因の考察
キーワード：半導体、二次元、トンネルFET
二次元トンネル FET(2D-TFET)には低消費電力動作と高駆動電流の両立が期待されるが，ヘテロ 界面形成時の界面準位の導入等から，現状多くのデバイスで理想的な特性が得られていない．本研究ではこれまでの研究でトンネル電流を確認したp+-MoS2を利用した同一結晶内n-p+を，デバイスの構造を n-p+-n 型とすることで，全電流に対する n 型導電パスの寄与を高め，存在しうる電流パス を特定し，デバイス設計に対して新たな指針を得ることを試みた．