[22a-B204-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[22a-B204-4] 高濃度Pイオン注入SiC上ショットキー障壁におけるトラップアシストトンネル電流の解析

〇原 征大¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：SiC、イオン注入、ショットキー障壁ダイオード