[22a-B204-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [22a-B204-6] 金属/高濃度ドープp型SiCショットキー界面におけるトンネル電流に対するスプリットオフバンドの影響

〇北脇 武晃¹、原 征大¹、田中 一^1,2、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工、2.阪大院工)

キーワード：SiC、ショットキー障壁ダイオード、オーミック接触