[22a-B204-1~11] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[22a-B204-8] KrFレーザードーピングによる SiCへの窒素拡散
―レーザードーピングメカニズムの研究（その４）―

〇妹川 要¹、納富 良一¹、宇佐見 康継¹ (1.ギガフォトン（株）)

キーワード：炭化ケイ素、レーザードーピング、拡散メカニズム

SiCパワーデバイスの製造プロセスはSi系半導体と比較し結晶性回復過程や活性化時により高温な処理が必要とされる等の課題がある。その解決手段の一つとしてレーザードーピングも有効な手法と考えられている。しかしながらいまだメカニズムに不明な点が多く、制御性の点で商用化への道は遠い。我々は前回に引き続き拡散メカニズムを明確にする目的でレーザー照射回数(照射時間)と拡散深さについて調査したので報告する。