[22a-C102-1~8] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

△ [22a-C102-4] Evaluation of Phonon Dispersion (Γ-K region) of Bulk SiGe by Inelastic X-ray Scattering

〇Ryo Yokogawa^1,2, Yasutomo Arai³, Ichiro Yonenaga⁴, Motohiro Tomita⁵, Daisuke Ishikawa^6,7, Hiroshi Uchiyama⁶, Alfred Baron^7,6, Taknobu Watanabe⁵, Atsushi Ogura^1,2 (1.Meiji Univ., 2.MREL, 3.JAXA, 4.Tohoku Univ., 5.Waseda Univ., 6.JASRI, 7.RIKEN)

Keywords:SiGe, Inelastic X-ray Scattering, Phonon

低熱伝導率のメカニズムの解明に向けてSiGeの分散曲線の評価と理解が重要となるが混晶のフォノン散乱機構は複雑である。我々はこれまでにX線非弾性散乱を用いてSiGeのΓ-X点間のフォノン分散曲線を測定したが、他のブリルアンゾーンにおけるSiGeフォノン分散曲線に関しては報告例が未だない。本研究ではΓ-K点([q0q])間のSiGeフォノン分散関係に着目し、X線非弾性散乱測定を実施したので報告する。