[22a-C102-1~8] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

△ [22a-C102-4] X線非弾性散乱法によるバルクSiGeのフォノン分散(Γ-K点)評価

〇横川 凌^1,2、荒井 康智³、米永 一郎⁴、富田 基裕⁵、石川 大介^6,7、内山 裕士⁶、Baron Alfred^7,6、渡邉 孝信⁵、小椋 厚志^1,2 (1.明治大理工、2.明治大MREL、3.JAXA、4.東北大学、5.早稲田大理工、6.JASRI、7.RIKEN)

キーワード：SiGe、X線非弾性散乱、フォノン

低熱伝導率のメカニズムの解明に向けてSiGeの分散曲線の評価と理解が重要となるが混晶のフォノン散乱機構は複雑である。我々はこれまでにX線非弾性散乱を用いてSiGeのΓ-X点間のフォノン分散曲線を測定したが、他のブリルアンゾーンにおけるSiGeフォノン分散曲線に関しては報告例が未だない。本研究ではΓ-K点([q0q])間のSiGeフォノン分散関係に着目し、X線非弾性散乱測定を実施したので報告する。