[22a-C102-1~8] 22.1 Joint Session M "Phonon Engineering"

[22a-C102-6] Effect on Phonon field by Changing Nanopillar Gap in Si Nanopillar/SiGe composite film

Asahi Sato¹, 〇Daisuke Ohori¹, Min-hui Chuang³, Masayuki Murata⁴, Atsushi Yamamoto⁴, Yiming Li³, Kazuhiko Endo⁴, Seiji Samukawa^3,1,2 (1.IFS, Tohoku Univ., 2.AIMR, Tohoku Univ., 3.NYCU, 4.AIST)

Keywords:nanostructure fabrication, phonon field control, neutral beam fabrication

本研究では、チャネル中へ間隔を制御した無欠陥Siナノピラー (Si NP)を形成し、Si_0.7Ge_0.3で埋め込むことで起こる熱伝導への影響からフォノンの制御を試みた。結果より、狭いNP間隔では広いNP間隔と比較してNP間隔の誤差が熱伝導率へ与える影響が高いことが明らかとなった。低い熱蓄積の状態でより容易に散乱できると考える。