[22a-C102-1~8] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[22a-C102-6] Siナノピラー/SiGe複合膜構造のナノピラー間隔制御によるフォノン場への影響

佐藤 旭¹、〇大堀 大介¹、Chuang Min-hui³、村田 正行⁴、山本 淳⁴、Li Yiming³、遠藤 和彦⁴、寒川 誠二^3,1,2 (1.東北大流体研、2.東北大AIMR、3.NYCU、4.産総研)

キーワード：ナノ構造作製、フォノン場制御、中性粒子ビーム加工

本研究では、チャネル中へ間隔を制御した無欠陥Siナノピラー (Si NP)を形成し、Si_0.7Ge_0.3で埋め込むことで起こる熱伝導への影響からフォノンの制御を試みた。結果より、狭いNP間隔では広いNP間隔と比較してNP間隔の誤差が熱伝導率へ与える影響が高いことが明らかとなった。低い熱蓄積の状態でより容易に散乱できると考える。