[22a-C200-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[22a-C200-2] 半極性{11-22}AlInN/GaInNの成長温度依存性

〇藤澤 孝博¹、中林 泰希¹、江川 孝志¹、三好 実人¹、竹内 哲也²、岡田 成仁³、只友 一行³ (1.名工大、2.名城大、3.山口大)

キーワード：MOCVD、AlInN、半極性

近年、完全緩和した半極性{11-22}GaInN上に高InNモル分率AlInNの成長に成功した。本研究では、InNモル分率 9~10%の{11-22}GaInN上に成長温度745℃、775℃、825℃でAlInNの成長及び結晶評価を行い、組成と成長温度依存性を調査した。AFMから成長した{11-22}AlInN膜は比較的表面平坦であることが確認できた。XRD測定から組成を算出したところ、{11-22}AlInN/GaInNではc面GaN/サファイア上よりもInNモル分率が高くなり、さらに775℃、825℃で成長した{11-22}AlInNはc軸長が格子整合組成に近いことが確認できた。