[22a-C200-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [22a-C200-3] AlGaN組成傾斜層を有するn型導電性AlInN/GaN DBR

〇小林 憲汰¹、柴田 夏奈¹、長澤 剛¹、渡邊 琉加¹、臼井 広大¹、岩山 章¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、岩谷 素顕¹ (1.名城大理工)

キーワード：面発光レーザ、多層膜反射鏡

実用化されているGaAs系VCSELには、導電性DBRが用いられている。GaN系VCSEL においても、高性能化に向けて導電性 AlInN/GaN DBR の導入が検討されている。しかし、その光出力は非導電性 DBR の場合と比較すると約 6 割に留まり、その要因として導電性 DBR の結晶品質低下が考えられている。本報告では、導電性と結晶品質の両立を可能にするAlGaN 組成傾斜層を有する導電性DBRを検討した。