[22a-C200-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [22a-C200-4] AlNキャップ層を有する高InNモル分率GaInN量子井戸のトレンチ欠陥低減

〇中野 元貴¹、渡邊 琉加¹、長澤 剛¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、岩谷 素顕¹ (1.名城大理工)

キーワード：GaInN量子井戸、エピタキシャル成長、AlNキャップ層

高品質な高InNモル分率GaInN量子井戸の作製において、井戸層上に様々なキャップ層を導入した報告が数多くされている。本研究では、キャップ層のAlNモル分率、膜厚を変化させた。GaNキャップ層では0.2～0.4 µm程度のトレンチ欠陥が観察されたが、AlNモル分率が高くなるにつれ、縮小するとともに密度も減少し、AlNキャップ層では消失した。また、AlNキャップ層の膜厚を0.1nmまで薄くした場合でも、このトレンチ欠陥は抑制されることがわかった。