[22a-C200-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[22a-C200-9] 準大気圧プラズマMOCVDによるInNの結晶成長

〇熊谷 直人^1,2、榊田 創^2,1、清水 鉄司^2,1、山田 永^2,1、山田 寿一¹、王 学論^1,2,3、阿澄 玲子¹ (1.産総研GaN-OIL、2.産総研 電子光基礎、3.名大 未来システム研)

キーワード：プラズマMOCVD、窒化インジウム、窒化インジウムガリウム

従来のプラズマ源に比べ1桁以上高い動作圧力(>1 kPa)と1桁以上高い窒素ラジカル密度(>5×10¹⁴ cm^-3)を生成可能なマイクロストリップライン構造を用いたプラズマ源のMOCVDへの応用を検討し、プラズマ源とMOガス供給源を一体化した統合モジュールを開発、プラズマMOCVDによるInN のバルク薄膜の成長とその評価を行った。