[22a-C201-1~10] 3.8 テラヘルツ全般（旧3.9）

[22a-C201-6] THz波デバイス用高アスペクト比構造への超臨界流体薄膜堆積法によるCu被覆の検討

黄 昱源¹、小西 邦昭²、出浦 桃子¹、下山 裕介¹、湯本 潤司²、五神 真²、霜垣 幸浩¹、〇百瀬 健¹ (1.東大院工、2.東大院理)

キーワード：超臨界流体薄膜堆積法、金属コーティング、テラヘルツ波デバイス

テラヘルツ波デバイスは、テラヘルツ波を制御するために不可欠な部品であるが，バルク金属デバイスの製作は困難であるため，金属でコーティングされたデバイスが注目されている。近年，ポリマーの3Dプリンティングは，その解像度の向上により，潜在的な解決策となりつつあり，ポリマー3Dプリンティングと金属コーティングの組み合わせが可能となってきている。我々は以前，適切な金属材料とその必要膜厚を推定するモデルを構築し，銅が適切であり，必要膜厚は膜質に依存応じて100-300 nmであることを明らかにした。一方，適切な製膜方法については，高アスペクト比（AR）構造への適合性が高く，高純度の膜を形成できる超臨界流体薄膜堆積法（SCFD）を提案した。SCFD は，超臨界流体中で金属有機前駆体を化学反応させ，膜を形成するものである。本研究では、Cu-SCFDのサブミリサイズTHz波デバイスへの適用性を評価した。