[22a-C202-1~7] 6.4 薄膜新材料

[22a-C202-6] パルスレーザー堆積法により作製されたBi-Rh-O新物質薄膜におけるp型導電性

〇(DC)大野 瑞貴¹、藤田 貴啓¹、川﨑 雅司^1,2 (1.東大院工、2.理研 CEMS)

キーワード：新物質、p型伝導、薄膜

Rhは3価が安定であり、酸素原子の結晶場で生じたt_2g軌道を4d⁶電子が埋めるため半導体となる。これに対し、Rh⁴⁺を含む酸化物は金属的な輸送特性を示すが、安定化が難しくバルク多結晶のみが報告されている。本研究では、PLD法を用いることによってYSZ(111)基板上に2種類のBi-Rh-O新物質薄膜を作製し、縦抵抗率が金属的な温度依存性を示し、ホール抵抗率の磁場依存性が正の傾きを示すことを明らかにした。