[22p-A200-1~8] 半導体を用いた量子情報技術の最前線

[22p-A200-3] 炭化ケイ素（SiC）の量子技術応用の可能性 － スピン欠陥形成と量子センシング応用 －

〇大島 武¹ (1.量研)

キーワード：量子センシング、炭化ケイ素、スピン欠陥

近年、ワイドバンドギャップ半導体中のエネルギー準位的に孤立した結晶欠陥の発光やスピンを活用した量子技術の研究が活発である。炭化ケイ素（SiC）はダイヤモンドと同様にワイドバンドギャップ半導体であり、超低損失パワーエレクトロニクス応用が進むことから、高品質な大型基板が入手可能、デバイス作製プロセスが発達しているなど母材としての優位性を有する。SiC中の量子応用可能な欠陥については、負に帯電したシリコン空孔、中性の複空孔や負に帯電した窒素－空孔などがこれまでに報告されている。このうちV_Siは、900 nm付近のフォトルミネッセンス（PL）を示し、室温においてもPL観測やスピン操作が可能なことから、深部の観察が可能な量子センサへの応用が期待されている。本講演ではV_Siを中心に、その形成技術と量子センシング応用について紹介する。