[22p-A301-1~15] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

△ [22p-A301-5] RF入力によるAg-GeTe CBRAMのスイッチ電圧変化

〇(DC)殷 ユウヒ¹、塚本 慶人¹、林 等¹、中岡 俊裕¹ (1.上智理工)

キーワード：Ag-GeTe CBRAM、非線形電流-電圧、周波数逓倍

固体のアモルファスカルコゲナイドの中にAgなどの活性金属イオンが移動する異常拡散は，興味深い電気化学反応としてのみならず，センサー，メモリーなど広い応用に向け研究されている。我々はAg-GeTe系CBRAMの非線形な電流-電圧特性に着目し，周波数逓倍特性を評価してきた[1]。今回、RF波入力可能なAg-GeTe系CBRAMを作成し，RF波によるSET/RESET電圧の可逆な変化を見いだしたので報告する。