[22p-A301-1~15] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[22p-A301-7] 透過・反射分光法によるGe₂Sb₂Te₅薄膜の屈折率評価

〇後藤 民浩¹ (1.群馬大理工)

キーワード：相変化メモリ材料、透過・反射分光法、屈折率

結晶化率により物性値が大きく変化するGe₂Sb₂Te₅薄膜は、相変化メモリ材料として応用が進んでいる。高抵抗から低抵抗への遷移は高電界現象であり、ギャップ内準位が重要な働きをすると考えられる。これまで不明だったGe₂Sb₂Te₅薄膜のギャップ内準位情報を、光熱偏向分光法(PDS)を用い、明らかにしつつある。一方、PDSによる欠陥密度の定量評価には、試料の正確な屈折率が必要である。本研究では、可視光から赤外光までの幅広い波長領域の光透過率・反射率を調べ、Ge₂Sb₂Te₅薄膜の屈折率の見積もりを行った。