[22p-A306-1~7] 11.5 接合，回路作製プロセスおよびデジタル応用

[22p-A306-5] 磁束ストレージループを用いたストカスティックメモリの動作実証

〇(D)羅 文輝¹、竹内 尚輝²、陳 オリビア³、吉川 信行^1,4 (1.横国大院理工、2.産総研 RCECT、3.東京都市大院理工、4.横国大 IAS)

キーワード：超伝導、ストカスティク演算、磁束ストレージループ

本研究では、低電力なストカスティック演算ベースのニューラルネットワークを構築するため、指定した確率で論理1を出力するようなストカスティックメモリの動作実証を行う。
同ストカスティックメモリは、 AQFP/RSFQインターフェース、磁束ストレージループとAQFPバッファチェーンで構成される。論理1が入力されると正の磁束量子がループに蓄えられ、論理0が入力されると負の磁束量子が蓄えられる。その結果、ループを流れる電流の大きさと向きを制御可能であり、ループと結合したAQFPバッファが1を出力する確率を調整できる。
AISTのHSTPプロセスを使用してストカスティックメモリを設計および作製し、実験的に印加磁束による出力ビット列中の1の出力確率の制御を行った。さらに、出力確率と印加磁束の依存性をシミュレーション結果と比較し評価した。