[22p-B101-1~8] Co-evolution of advanced analysis and functional oxide research

[22p-B101-8] Characterization of Oxide Thin Films by using HAXPES

〇Munetaka Taguchi¹, Takao Mizutani¹, Teruhiko Saze¹, Satoshi Tanaka¹, Hideki Matsuoka², Masaki Nakano², Hiroki Wadati^3,4, Koji Horiba⁵, Miho Kitamura⁵, Yoshihiro Iwasa², Hiroshi Kumigashira^5,6, Keiko Fujii⁷, Masahiko Yoshiki⁷ (1.Toshiba Nanoanalysis Co., 2.Dept. of Applied Phys. Univ. of Tokyo, 3.GSMS. Univ. of Hyogo, 4.ILE. Osaka Univ., 5.IMSS. KEK, 6.EIMRAM. Tohoku Univ., 7.R&D Center, Toshiba Co.)

Keywords:total reflection HAXPES

光電子のプローブ深さが大きくなった硬Ｘ線光電子分光(HAXPES)は、プローブ深さが浅く表面感度が高いという従来の軟X線励起の光電子分光の弱点を克服することに成功した分光法として近年研究が盛んに行われている。一方で、表面状態の分析を目的としてＸ線の全反射条件下でのHAXPES測定が半導体材料を中心にしばしば行われている。全反射条件ではＸ線が全反射臨界角で入射するため、物質中へ侵入できる深さが制限される。今回我々は、この全反射HAXPESを強相関電子系材料に応用することを試みた。本手法を用いると、Ｘ線の入射角度を僅かに変更するだけで表面とバルクの電子状態の両方を同じビームライン・同じエネルギー分解能で測定することが可能になる。本講演では、全反射と通常測定から得られた強相関電子系材料の表面とバルクの電子状態の違いについてその詳細を報告する予定である。