[22p-B204-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[22p-B204-6] Annealing temperature dependence of hole concentration for Mg-ion-implanted GaN

〇Masato Omori¹, Kenta Watanabe², Tatsuya Tsuboi¹, Shounichi Hidaka¹, Takashi Okawa² (1.Oita Uni., 2.MIRISE Tec.)

Keywords:GaN, ultra high pressure annealing, Hall effect

本研究では，Mgをイオン注入したGaNを1GPaの超高圧下で1400℃以上で活性化アニール処理を行った試料に対し，ホール効果測定を用いて正孔濃度の活性化アニール温度依存性を評価した。