[22p-C202-1~12] 6.4 薄膜新材料

[22p-C202-12] RFマグネトロンスパッタリング法によって作製したMnドープITO多結晶膜の物性に及ぼす基板温度の影響

〇川村 亮人¹、北川 彩貴¹、武久 進太郎¹、中村 敏浩^1,2 (1.京大院人環、2.京大国際高等教育院)

キーワード：希薄磁性半導体、透明導電膜、スピントロニクス材料

電子の電荷とスピンを同時に活用するスピントロニクス材料として希薄磁性半導体が注目される. Mnドープ酸化インジウムスズ(Mn-doped Indium Tin Oxide：Mn-ITO)薄膜は, 透明導電膜のITOに少量のMnを添加した希薄磁性半導体であり, 高い可視光透過率と低い電気抵抗率に加え室温強磁性を示す. RFスパッタにより作製したMn-ITO多結晶膜の物性に及ぼす基板温度の影響を調べた. 基板温度により異なる結晶配向が確認でき, それに伴う電気・磁気特性の変化を評価した.