[22p-C202-1~12] 6.4 Thin films and New materials

△ [22p-C202-7] Epitaxial growth of La₃Ni₂O₇ thin films and control of layered structure by reductive annealing

〇Yuki Goto¹, Kazuya Kawamura¹, Kenta Kaneko¹, Satoru Kaneko^2,1, Mamoru Yoshimoto¹, Akifumi Matsuda¹ (1.TokyoTech, 2.KISTEC)

Keywords:Epitaxial thin film, Lanthanum nickelate, Ruddlesden Popper

層状ニッケル酸化物であるLa₃Ni₂O₇はイオン伝導性等から燃料電池やガスセンサへの応用が期待されているが、La₃Ni₂O₇を含むn≥2のLNOエピタキシャル薄膜とドーピングに関する報告はまだ少ない。高配向薄膜合成や導電特性−構造相関の知見を得ることにより、超伝導材料探索への発展も期待される。
本研究では、LNO薄膜の電子機能及び構造制御を目的とし、La₃Ni₂O₇エピタキシャル薄膜のPLD合成および還元アニールによる特性・構造変化を検討した。