[22p-C205-1~15] CS.1 2.3 加速器質量分析・加速器ビーム分析 、7.5 イオンビーム一般のコードシェア

△ [22p-C205-14] Siスパッタ蒸着基板へのAu蒸着によるAuナノワイヤ低温気相成長

〇水谷 仁美¹、山本 春也²、高廣 克己¹ (1.京工繊大、2.量研機構高崎)

キーワード：ナノワイヤ、イオンビーム、スパッタ堆積

我々は、低速Ar⁺照射したSi基板へのAu蒸着により、照射領域内の酸化／非酸化の境界領域のみにおけるAuナノワイヤ（NW）成長を見出した。これまでの研究から、イオン照射による結晶Siの非晶質化、Au蒸着時のAu-Si合金形成、非晶質Siの再結晶化を経て、NWsが成長すると考えられる。本研究では、NW成長の開始となる非晶質Siの必要性を確認するため、スパッタ蒸着で非晶質Siを数種類の基板に堆積させた後、Au蒸着を行うことで、NW作製を試みた。