[22p-C205-1~15] CS.1 2.3 加速器質量分析・加速器ビーム分析 、7.5 イオンビーム一般のコードシェア

△ [22p-C205-2] 高速イオンビーム照射による自立グラフェン膜からの二次電子放出

〇(M1)宇野 鳴記¹、間嶋 拓也¹、斉藤 学¹、土田 秀次¹ (1.京都大院工)

キーワード：高速イオンビーム、二次電子エネルギー、輸送過程

イオンビーム照射によって固体表面から放出される二次電子のエネルギー分布を測定することは、固体内の電子系へのエネルギー付与に関係しており、非常に重要である。本研究では、単原子イオンビームによる自立した単層および多層グラフェン膜から放出される二次電子エネルギーの膜厚依存性の結果を報告する。発表では、単層グラフェン膜を使用することで二次電子放出における輸送過程の効果が減少する様子について議論する。