[22p-M206-1~16] 23.1 Joint Session N "Informatics"

[22p-M206-9] Data assimilation for engineering utilizing domain knowledge (ii)
-Application to solution growth simulation of SiC-

〇Masato Ota^1,2, Kentaro Kutsukake^1,3, Shion Takeno⁴, Masayuki Karasuyama⁴, Ichiro Takeuchi^2,3, Shunta Harada^1,2, Miho Tagawa^1,2, Toru Ujihara^1,2 (1.Imass, Nagoya Univ., 2.Grad. School Eng., Nagoya Univ., 3.AIP, RIKEN, 4.Nagoya Inst. of Tech.)

Keywords:Data assimilation, Semiconductor, Simulation

SiC溶液成長法における熱流体解析の高精度化に向け、実験者とシミュレーション使用者の専門知識を取り入れたデータ同化手法を提案し、それを用いて高温のSi溶液の物性値推定を行った。