[22p-P02-1~7] 3.8 Terahertz technologies (formerly 3.9)

[22p-P02-1] Epitaxial growth of InGaSb/AlInGaSb THz-QCL structures using an MBE machine

〇Hiroaki Yasuda¹, Norihiko Sekine¹, Iwao Hosako¹ (1.NICT)

Keywords:quantum cascade laser

Inセル, Gaセル各1本を備えた一般的なMBE装置では、InGaSbとAlInGaSbの格子整合を実現するのは困難である。今回、第一原理電子状態計算プログラムを用いて格子定数を計算して、In / Ga比が同じで格子整合する条件（格子定数のずれは0.02%以下）を見いだした。この格子整合する系でGaSb基板上にTHz-QCL構造をMBE成長した。