[22p-P02-1~7] 3.8 Terahertz technologies (formerly 3.9)

[22p-P02-7] Spectral properties of monolayer graphene grown on 4H-SiC measured by terahertz time domain spectroscopy

〇Suguru Yamauchi¹, Shin-ichiro Yanagiya¹, Yasuhide Ohno¹, Masao Nagase¹, Yasuo Minami¹ (1.Tokushima Univ.)

Keywords:THz-TDS, monolayer graphene

SiC熱分解法により、大きさ10 mm角の4H-SiC基板を加熱してエピタキシャルグラフェンを作製した。作製した試料について、Van der Pauw法による電気特性の計測と、透過型配置のテラヘルツ時間領域分光法によるテラヘルツ域の分光特性の評価を行った。講演では、時間波形から算出したエネルギー透過率や複素透過率の結果を用いて、単層グラフェンの複素誘電率や有効質量について議論する。