[22p-P02-1~7] 3.8 テラヘルツ全般（旧3.9）

[22p-P02-7] テラヘルツ時間領域分光法を用いた4H-SiC上の単層グラフェンの分光特性の評価

〇山内 俊¹、柳谷 伸一郎¹、大野 恭秀¹、永瀬 雅夫¹、南 康夫¹ (1.徳島大学)

キーワード：THz-TDS、単層グラフェン

SiC熱分解法により、大きさ10 mm角の4H-SiC基板を加熱してエピタキシャルグラフェンを作製した。作製した試料について、Van der Pauw法による電気特性の計測と、透過型配置のテラヘルツ時間領域分光法によるテラヘルツ域の分光特性の評価を行った。講演では、時間波形から算出したエネルギー透過率や複素透過率の結果を用いて、単層グラフェンの複素誘電率や有効質量について議論する。