[22p-P05-1~3] 3.12 半導体光デバイス（旧3.13）

[22p-P05-2] 単結晶酸化ガリウム基板を正孔注入阻止層として用いた電荷増倍膜接合型撮像デバイスにおける高感度撮像の実現

〇峰尾 圭忠¹、為村 成亨¹、宮川 和典¹、相原 聡¹、杉山 睦²、難波 正和¹ (1.NHK技研、2.東理大)

キーワード：酸化ガリウム、撮像デバイス、セレン

アバランシェ増倍現象を利用した高感度撮像デバイスの実現を目的に研究を進めている。これまでにCMOS回路とサファイア基板上に形成した結晶セレン光電変換膜を接合した構造で電荷増倍画像の取得に成功している。一方、高増倍率化のためには結晶欠陥の抑制が課題であった。今回、正孔注入阻止層である多結晶酸化ガリウム薄膜に代えて単結晶酸化ガリウム基板を用いた新たな構成とし、増倍率3.5倍、暗電流1.25 nA/cm²の高感度撮像に成功した。