[22p-P05-1~3] 3.12 半導体光デバイス（旧3.13）

[22p-P05-3] SiO2膜形成時のMg2Si-PDの分光感度特性

〇今泉 尚己¹、吉田 美沙²、津谷 大樹²、鵜殿 治彦¹ (1.茨城大学、2.NIMS)

キーワード：フォトダイオード、Mg2Si