[22p-P07-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[22p-P07-5] Pt/Ti_0.96Co_0.04O_2-δ/Pt薄膜の抵抗変化メカニズムと脳型特性の強化

〇(M2)高田 文朝¹、山口 優¹、谷口 充樹¹、冨吉 希彩良¹、谷古宇 海斗¹、金子 理久¹、志賀 大亮²、組頭 広志²、樋口 透¹ (1.東理大理、2.東北大)

キーワード：酸素欠陥、ニューロモルフィック機構、薄膜

次世代のメモリとしてTiO2-δ薄膜を用いた脳型メモリが盛んに研究されているが、抵抗変化メカニズムが不明瞭な上に抵抗変化幅が小さい問題点がある。そこで、本研究では薄膜の抵抗変化メカニズムの解明と脳型特性の強化を目的とした。本報告では電気特性と電子構造の評価で明らかになった抵抗変化メカニズムを示した上で、酸素欠陥に起因する脳型特性の強化について議論する。