[22p-P08-1~16] 13.9 化合物太陽電池

[22p-P08-7] ウェットプロセスで作製した化合物太陽電池光吸収層Cu₂SnS₃薄膜の熱処理条件における保持時間の影響

〇(B)五十嵐 優聴¹、長谷川 覚巳¹、石田 友紀¹、田中 久仁彦²、森谷 克彦¹ (1.鶴岡工業高等専門学校、2.長岡技術科学大学)

キーワード：化合物太陽電池、太陽電池材料、Cu2SnS3

人体に影響が少なく環境にやさしい半導体材料であるCu₂SnS₃（CTS）は、現在太陽電池市場で主流となっているシリコンベースの太陽電池の代替材料として開発された。本研究ではゾルゲル・ディップコート法を採用することにより、真空プロセスを使用せずに、太陽電池光吸収層であるCTS薄膜を低コストで作製した。また、薄膜作製段階の熱処理条件における保持時間を検討することで結晶性の向上を目指した。