[22p-P10-1~6] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[22p-P10-1] GaSb基板上InSb量子ドットのサイズ制御とPL特性

〇桑原 笑明¹、山本 恭輔¹、小関 敬祐¹、牛頭 信一郎²、遠藤 聡¹、藤代 博記¹ (1.東理大先進工、2.産総研)

キーワード：量子ドット、InSb、MBE