[22p-P10-1~6] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[22p-P10-3] Theoretical Analysis on Vacancies in GaPN Crystal for understanding Irradiation Effects on Dilute Nitride Alloys

〇Shun One¹, Akihiro Wakahara¹, Keisuke Yamane¹ (1.Toyohashi Tech.)

Keywords:first-principles calculation, point defects, irradiation

我々は最近になってGaP系希薄窒化物において、放射線照射によって太陽電池の発電効率が改善するという特異な現象を発見した。この現象のメカニズムとして窒素起因点欠陥とリン空孔の反応・消滅過程を第一原理計算によって予想した。本研究では照射時に形成されるリン空孔とガリウム空孔の特性評価のための解析を行った。結論としてそれぞれの空孔が光学・電気的特性悪化の要因となり、実験的事実と矛盾しないことを確認した。