[22p-P10-1~6] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[22p-P10-3] 希薄窒化物への放射線照射効果解明に向けた GaPN 混晶中の空孔型点欠陥の理論的解析

〇大根 駿¹、若原 昭浩¹、山根 啓輔¹ (1.豊橋技科大)

キーワード：第一原理計算、点欠陥、放射線照射

我々は最近になってGaP系希薄窒化物において、放射線照射によって太陽電池の発電効率が改善するという特異な現象を発見した。この現象のメカニズムとして窒素起因点欠陥とリン空孔の反応・消滅過程を第一原理計算によって予想した。本研究では照射時に形成されるリン空孔とガリウム空孔の特性評価のための解析を行った。結論としてそれぞれの空孔が光学・電気的特性悪化の要因となり、実験的事実と矛盾しないことを確認した。