[22p-P10-1~6] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[22p-P10-6] Circularly polarized light emission properties of InGaAs quantum dots with different In compositions capped at a high growth rate

〇Sohsuke Izumi¹, Satoshi Hiura¹, Junichi Takayama¹, Akihiro Murayama¹ (1.IST, Hokkaido Univ.)

Keywords:semiconductor quantum dot, circularly polarized time-resolved photoluminescence, carrier dynamics

我々は前回、実用光デバイス材料であるInAs QDにおいてGaAsキャップ層の成長時にIn-Ga相互拡散が生じてQDの高さが低下すること、キャップ層の成長速度を速くすることでQDの高さが保持されて室温において発光強度が増大することを報告した。本研究では、高速でキャッピングしたIn組成の異なるInGaAs QDを作製し、円偏光時間分解PLにより円偏光発光特性とキャリアダイナミクスを評価した。