[22p-P10-1~6] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[22p-P10-6] 高速成長GaAsキャップ層をもつInGaAs量子ドットの円偏光発光特性のIn組成依存性

〇和泉 蒼翼¹、樋浦 諭志¹、高山 純一¹、村山 明宏¹ (1.北大院情報科学)

キーワード：半導体量子ドット、円偏光時間分解PL、キャリアダイナミクス

我々は前回、実用光デバイス材料であるInAs QDにおいてGaAsキャップ層の成長時にIn-Ga相互拡散が生じてQDの高さが低下すること、キャップ層の成長速度を速くすることでQDの高さが保持されて室温において発光強度が増大することを報告した。本研究では、高速でキャッピングしたIn組成の異なるInGaAs QDを作製し、円偏光時間分解PLにより円偏光発光特性とキャリアダイナミクスを評価した。