[22p-P12-1~3] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[22p-P12-2] Temperature dependence of photoluminescence intensity decay by laser irradiation of GaPN alloy

〇Yoshiyasu Yagihashi¹, Kengo Takamiya¹, Norihiko Kamata¹, Shuhei Yagi¹, Hiroyuki Yaguchi¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:GaPN, band tail, defect level

希釈窒化物半導体GaPN混晶はバンドテイルを形成し, バンドギャップ以下のエネルギーの光を利用することができる。バンドテイルを介した二段階光吸収は太陽電池に応用することで発電効率の向上に有意的である。先行研究より, GaPN混晶では高出力でレーザー照射をすると, フォトルミネッセンス(PL)強度が変化することが知られている。本講演では, PL強度の変化が温度によって異なり, この違いが欠陥を介した非発光再結合と関連するものであることを報告する。