[22p-P12-1~3] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[22p-P12-2] レーザー照射による GaPN 混晶の フォトルミネッセンス強度減衰の温度依存性

〇八木橋 善和¹、高宮 健吾¹、鎌田 憲彦¹、八木 修平¹、矢口 裕之¹ (1.埼玉大院理工)

キーワード：GaPN混晶、バンドテイル、欠陥準位

希釈窒化物半導体GaPN混晶はバンドテイルを形成し, バンドギャップ以下のエネルギーの光を利用することができる。バンドテイルを介した二段階光吸収は太陽電池に応用することで発電効率の向上に有意的である。先行研究より, GaPN混晶では高出力でレーザー照射をすると, フォトルミネッセンス(PL)強度が変化することが知られている。本講演では, PL強度の変化が温度によって異なり, この違いが欠陥を介した非発光再結合と関連するものであることを報告する。