The 83rd JSAP Autumn Meeting 2022

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15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[22p-P17-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

Thu. Sep 22, 2022 4:00 PM - 6:00 PM P17 (Arena)

4:00 PM - 6:00 PM

[22p-P17-2] Sheet carrier concentration of YbAlN/GaN heterostructure: A first-principles study

Kenji Hirata1, Shoya Kawano2, Hiroshi Yamada1, Masato Uehara1, Sri Ayu Anggraini1, Morito Akiyama1 (1.AIST, 2.Kyushu Inst. Tech.)

Keywords:first-principles calculation, nitride, spontaneous polarization

本研究では、YbAlN/GaN界面において分極誘起される二次元電子ガスのシートキャリア密度を第一原理計算により評価した。YbxAl1-xNとGaNが格子整合する場合(x≈0.1)、二次元電子ガスのシートキャリア密度は5×1013(cm-2)と見積もられた。この値は先行研究で高いシートキャリア密度が報告されたScAlN/GaNと同等であった。したがって、YbAlNはScAlNと同様に高電子移動度トランジスタにおけるバリア層の候補材料の一つになると考えられる。