[22p-P17-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

[22p-P17-2] Sheet carrier concentration of YbAlN/GaN heterostructure: A first-principles study

〇Kenji Hirata¹, Shoya Kawano², Hiroshi Yamada¹, Masato Uehara¹, Sri Ayu Anggraini¹, Morito Akiyama¹ (1.AIST, 2.Kyushu Inst. Tech.)

Keywords:first-principles calculation, nitride, spontaneous polarization

本研究では、YbAlN/GaN界面において分極誘起される二次元電子ガスのシートキャリア密度を第一原理計算により評価した。Yb_xAl_1-xNとGaNが格子整合する場合(x≈0.1)、二次元電子ガスのシートキャリア密度は5×10¹³(cm^-2)と見積もられた。この値は先行研究で高いシートキャリア密度が報告されたScAlN/GaNと同等であった。したがって、YbAlNはScAlNと同様に高電子移動度トランジスタにおけるバリア層の候補材料の一つになると考えられる。