[22p-P17-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[22p-P17-2] YbAlN/GaNヘテロ構造におけるシートキャリア密度に関する第一原理計算

〇平田 研二¹、河野 翔也²、山田 浩志¹、上原 雅人¹、アンガライニ スリアユ¹、秋山 守人¹ (1.産総研、2.九工大)

キーワード：第一原理計算、窒化物、自発分極

本研究では、YbAlN/GaN界面において分極誘起される二次元電子ガスのシートキャリア密度を第一原理計算により評価した。Yb_xAl_1-xNとGaNが格子整合する場合(x≈0.1)、二次元電子ガスのシートキャリア密度は5×10¹³(cm^-2)と見積もられた。この値は先行研究で高いシートキャリア密度が報告されたScAlN/GaNと同等であった。したがって、YbAlNはScAlNと同様に高電子移動度トランジスタにおけるバリア層の候補材料の一つになると考えられる。