[22p-P17-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

[22p-P17-5] Hall effect measurements at high and low temperatures in anodized n-GaN

〇Gaku Kamio¹, Hiroshi Fujioka², Narihiko Maeda¹ (1.Tokyo Univ. of Technology, 2.Inst. of Industrial Science, Univ. of Tokyo)

Keywords:GaN, anodization

GaN系電子デバイスの低速・低損傷エッチング技術の開発を目的として、電気化学的に通電したn-GaNを通電後にウェットエッチングする2段階エッチング法を2019年に提案した。この方法における通電領域のn-GaNの電気伝導特性を調べたところ通電による陽極酸化によって電気伝導特性の変調が可能であることが分かった。今回、陽極酸化した試料に対し高低温（78~473 K）でのホール効果測定を行い、電気伝導特性の温度依存性について調べた。