[23a-A202-1~10] 6.2 Carbon-based thin films

[23a-A202-1] Evaluation of thermal stability of n⁺-Si/p-diamond heterojunction diodes

〇(D)Yota Uehigashi¹, Shinya Ohmagari², Hitoshi Umezawa², Hideaki Yamada², Jianbo Liang^1,3, Naoteru Shigekawa^1,3 (1.Osaka City Univ., 2.AIST, 3.Osaka Metropolitan Univ.)

Keywords:surface activated bonding, diamond, heterojunction diodes

ダイヤモンドは高いバンドギャップエネルギーを有することから、高温環境デバイスへの応用が期待される。しかし、高温環境において、ダイヤモンドとショットキー金属の界面において、カーバイド層が形成し、電気特性が劣化する課題がある。本研究では、n型Si/p型ダイヤモンドヘテロ接合ダイオードの熱処理による電気特性の変化を評価し、Ru(Al,Cu)/ダイヤモンドショットキーダイオードに比べ高い耐熱性を実証した。