[23a-A202-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

[23a-A202-1] n⁺-Si/p-ダイヤモンドヘテロ接合ダイオードの耐熱性評価

〇(D)上東 洋太¹、大曲 新矢²、梅沢 仁²、山田 英明²、梁 剣波^1,3、重川 直輝^1,3 (1.大阪市大院工、2.産総研、3.大阪公大院工)

キーワード：表面活性化接合、ダイヤモンド、ヘテロ接合ダイオード

ダイヤモンドは高いバンドギャップエネルギーを有することから、高温環境デバイスへの応用が期待される。しかし、高温環境において、ダイヤモンドとショットキー金属の界面において、カーバイド層が形成し、電気特性が劣化する課題がある。本研究では、n型Si/p型ダイヤモンドヘテロ接合ダイオードの熱処理による電気特性の変化を評価し、Ru(Al,Cu)/ダイヤモンドショットキーダイオードに比べ高い耐熱性を実証した。