[23a-A202-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

[23a-A202-3] ダイヤモンド横型 PIN ダイオードの NEA 表面からの電子放出

〇(M2)山川 翔也^1,2、加藤 宙光²、小倉 政彦²、加藤 有香子²、牧野 俊晴²、塚本 涼太^1,2、竹内 大輔^2,1、庄司 一郎¹ (1.中央大、2.産総研)

キーワード：ダイヤモンド、ダイオード、電子放出

従来の電子放出源用のダイヤモンド縦型 PIN ダイオードでは p 型導電性基板上に成膜し、 ダイオードのメサ構造を ICP エッチングにて形成していたが、本研究では ICP エッチングによる ダメージを避けられる選択成長法を用いて Ib(111)基板上に横型の PIN ダイオードの制作を行い、横型ダイオード型電子放出源としての評価を行った。その結果、横型はデバイス全体を薄膜だけで形式しているにも関わらず縦型構造と同程度の電子放出効率が得られた。