[23a-A202-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

△ [23a-A202-5] C-Si-O側壁チャネルによる縦型ダイヤモンドMOSFET のノーマリーオフ動作

〇(B)成田 憲人¹、太田 康介¹、付 裕¹、若林 千幸¹、平岩 篤¹、川原田 洋^1,2 (1.早大理工、2.早大材研)

キーワード：ダイヤモンド、MOSFET、縦型

本研究では酸化Si終端ダイヤモンド(C-Si-O)チャネルを用いた縦型ダイヤモンドMOSFETを作製し、閾値電圧(V_th): -10.2 V, 最大ドレイン電流密度(I_D): 8.05 mA/mmが得られ、縦型ダイヤモンドFETにおいて初のノーマリーオフ動作を達成した。また、V_th: -1.9 V, I_D: 102 mA/mmと高い電流密度でのノーマリーオフ動作デバイスも得られた。